Оперативная память

Модуль памяти SO-DIMM DDR4 8GB/3200 Prologix (PRO8GB3200D4S) (PRO8GB3200D4S)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 8GB, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600D364L11/8G)

Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz Team (TED38G1600C11-S01) PC3-12800, CL11, 1 планка

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8Gb, 1333MHz, CAS Latency (CL): CL9, PC3-10660 (TED38G1333C901)

Модуль памяти Team Elite DDR3, 8GB, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: 11-11-11-28, рабочее напряжение: 1,35 / 1,5 В

Lexar DDR4 8GB 288 PIN U-DIMM 2666Mbps, CL19, 1.2V- BLISTER Package (LD4AU008G-B2666GSST)

ATRIA UAT42666CL19K1/8 модуль пам'яті 8Gb DDR4 2666MHz UAT42666CL19K1/8 (UAT42666CL19K1/8)

ATRIA UAT42666CL19SK1/8 модуль пам'яті 8Gb DDR4 2666MHz sodimm UAT42666CL19SK1/8 (UAT42666CL19SK1/8)

ATRIA UAT43200CL22K1/8 модуль пам'яті 8Gb DDR4 3200MHz UAT43200CL22K1/8 (UAT43200CL22K1/8)

ATRIA UAT43200CL22SK1/8 модуль пам'яті 8Gb DDR4 3200MHz sodimm UAT43200CL22SK1/8 (UAT43200CL22SK1/8)

Модуль памяти Patriot Signature Line DDR3 8Gb (1x8Gb) 1333MHz (PSD38G13332) - тип памяти: DDR3; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 1333 МГц (10660 МБ/с); тайминги: CL9; питание: 1.5 В.

Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz SAMSUNG (M471B1G73BH0-CK0) 1600 MHz, PC3-12800, 1 планка

Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR4 SoDIMM 8Gb 2400MHz (KVR24S17S8/8) - SoDIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество микросхем на планке: 8; тип микросхем: 1Gx64; двусторонняя; количество ранков: 1.

Модуль памяти Hynix DDR3 SO-DIMM 1600 8Gb C11 - (HMT41GS6DFR8A-PB)

Память Samsung DDR3L-1600 8GB SO-DIMM PC3-12800 (M471B1G73BH0-YK0)

Модуль памяти Patriot DDR3 8Gb (1x8Gb) 1600MHz (PV38G160C0) - DDR3; 8 Гб; 1х8 Гб; 1600 МГц (12800 Мб/с); наличие радиатора; CL10; 1.5 В.

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (F4-2666C19S-8GNT) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL19; схема таймингов памяти: 19-19-19-43; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

Модуль памяти DDR4 8GB 2666MHz G.Skill Aegis C19-19-19-43 (F4-2666C19S-8GIS)

Модуль памяти PATRIOT 8GB DDR4 2666MHz Non-ECC UDIMM w/heatsheild (PSP48G266681H1)

Модуль памяти Patriot DDR4 8GB 3200MHz Signature Line (PSD48G320081)

DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1600 MHz, CL11-11-11, 1.5 V, нет

DDR4 8G 3200MHz GOLDEN MEMORY (box) (GM32N22S8/8)

Модуль памяти Mushkin SO-DIMM DDR3-1333, 1x8GB, PC3-10600, 9-9-9-24, 1.5V (M992020)

Mushkin 8GB DDR3-1066 PC3-8500 7-7-7-20 < 992019 > 1.5V SO-DIMM (M992019)

Модуль памяти G.Skill DDR4 8Gb 3000MHz (F4-3000C16S-8GISB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 3000 МГц (24000 Мб/с); наличие радиатора; CL16; 1.35 В; XMP.

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM, 8Gb, 1333MHz, PC3-10600, CL9, 1 планка (GR1333S364L9/8G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, CL11, 1 планка (GR1600S364L11/8G)

Модуль памяти GOODRAM DDR3 SoDIMM 8Gb, 1600MHz, PC3-12800, штатные тайминги: CL11, рабочее напряжение: 1,35 В (GR1600S3V64L11/8G)

Модуль памяти Patriot DDR4 SoDIMM 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (PSD48G240081S) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; рабочее напряжение: 1.2 В.

Модуль памяти G.SKILL AEGIS DDR4 8Gb 1.35V CL16 Black 3200MHz (F4-3200C16S-8GIS)